製作実績:半導体・化合物半導体・液晶装置分野

【品質管理体制】
当社、装置システム事業部は
国際標準 品質規格 ISO9001を
取得し品質管理を行っております。

高純度ガス配管技術をし駆使して、半導体製造装置に限らず、化合物や、液晶関連に関しても、試験装置や、検査装置なども製作をさせていただいております。お客様との守秘義務の為、こちらに掲載出来ないものも多いですが、一つ一つオーダーメイドで装置からユニットまで一貫で製作をしております。

半導体分野

装置名 用途・内容 分野 製作範囲
アッシング装置 300mm ICPプラズマ 半導体 装置
アッシング装置ガスユニット 1.5inc集積バルブ 半導体 ユニット
アッシング装置冷却水ユニット 集積型流量計 半導体 ユニット
LPアニール装置 4インチ 縦型 半導体 装置
LP-CVD装置ガスユニット 縦型バッチ式 6`~12` 半導体 ユニット
LP-CVD装置排気ユニット 縦型バッチ式 6`~12 半導体 ユニット
LP-CVD装置パージユニット 縦型バッチ式 8~12 半導体 ユニット
エピタキシャル成長装置 2チャンバー、誘導加熱型 半導体 装置
スパッタ装置ガスユニット イオンビームスパッタ装置 半導体 ユニット
スパッタ装置冷却水ユニット イオンビームスパッタ装置 半導体 ユニット
フッ素発生装置 F2 半導体 ユニット
シリンダーキャビネット 各種ガスに対応 自動制御含む 半導体 ユニット
ボンベスタンド 各種ガスに対応 半導体 ユニット
パルス光実験装置 露光装置用レーザー実験装置 半導体 装置
レーザー加熱装置チャンバー製作 基板急速加熱装置、真空容器 半導体 ユニット
排気セット(TMP+DP) 装置リークテスト用補助ポンプ 半導体 ユニット

化合物半導体分野

装置名 用途・内容 分野 製作範囲
MO-CVD装置(GaN) LED、LD、パワーデバイス向け 化合物 装置
MO-CVD装置(GaAs) LD、高周波トランジスタ 化合物 装置
MO-CVD装置ガスユニット   GaN 化合物 ユニット
MO-CVD装置ガスユニット   GaAs 化合物 ユニット
MO-CVD装置排気ユニット     GaN 化合物 ユニット
MO-CVD装置リアクターユニット GaN 化合物 ユニット
MO-CVD装置ロードロックユニット GaN 化合物 ユニット
WET酸化装置 化合物半導体向け 化合物 装置
HVPE装置用ガスユニット H-VPE ガス供給 化合物 ユニット

液晶・有機EL分野

P-CVD装置ガスユニット SiN 有機EL ユニット
レーザーアニール装置ガスユニット TFT 低温Poly-Si 液晶 ユニット
窒素循環精製装置 有機EL装置用、ガス精製ユニット 有機EL ユニット

MO-CVD装置(GaN)

MO-CVD装置(GaN)

青色LED用のGaN MO-CVD装置。

仕様

加熱方式 誘導加熱
チャンバー材質 石英
ウェーハ数量 4`×20
原料数 8式
制御システム PLC+PC GUI

MO-CVD装置(GaAs)

MO-CVD装置(GaAs)

赤色LD用のGaAs MO-CVD装置。

仕様

加熱方式 ランプヒーター加熱
チャンバー材質 ステンレス
ウェーハ数量 2`×8枚自公転フェイスダウン
原料数 10式
制御システム PLC+PC GUI
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